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        外延片材料是LED的核心部分，事實(shí)上，LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料。外延片技術(shù)與設(shè)備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在。

（1）LED外延片的制造工藝

        襯底——結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)——緩沖層生長——N型GaN層生長——多量子阱發(fā)光層生長——P型GaN層生長——退火——檢測(cè)（光熒光、X射線）——外延片

        外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD）。

        外延片的制造基本上決定了芯片的發(fā)光效率，工作電壓，波長等各項(xiàng)光電參數(shù)。同時(shí)也決定了芯片抗ESD沖擊的能力，和長期的穩(wěn)定性。

（2）LED芯片的制造工藝流程：

        外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形激光雕刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形激光雕刻→干式激光蝕刻→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形激光雕刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形激光雕刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形激光雕刻→鍍膜→剝離→研磨→激光切割→芯片→成品測(cè)試。

        芯片加工制程決定了芯片的電極粘附可靠性，芯片外觀品質(zhì)，光電參數(shù)一致性。

（3）成品測(cè)試的流程

        其實(shí)外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜的，生產(chǎn)設(shè)備基本上選用原裝進(jìn)口為主；在展完外延片后，下一步就開始對(duì)LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用激光機(jī)切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鉆石刀），制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試，如圖所示：

        1、主要對(duì)電壓、波長、亮度進(jìn)行測(cè)試，能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

        2、晶圓切割成芯片后，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。

        3、接著使用全自動(dòng)分類機(jī)根據(jù)不同的電壓，波長，亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類。

        4、最后對(duì)LED芯片進(jìn)行檢查（VC）和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心，藍(lán)膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒，芯片類型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上，附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測(cè)試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同，確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED芯片（目前市場上統(tǒng)稱方片）。

        在LED芯片制作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是后面的散晶，此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些參數(shù)不符合要求），就不用來做方片，就直接做電極（P極，N極），也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片（這里面也有好東西，如方片等）。